Определение биполярного транзистора с изолированным затвором

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — это составное полностью управляемое силовое полупроводниковое устройство,-управляемое напряжением, которое сочетает в себе преимущества MOSFET (металлического-оксидного-полупроводникового полевого-транзистора) и BJT (биполярного переходного транзистора).

 

Основные моменты определения
Состав структуры: Состоит из высокого входного импеданса и характеристик, управляемых напряжением-MOSFET, в сочетании с низким падением напряжения проводимости и высокой пропускной способностью по току BJT.

Принцип работы: подавая напряжение на затвор для управления формированием канала, он подает базовый ток на PNP-транзистор, обеспечивая его включение-включение или-выключение.

Структура клемм: имеет три клеммы:-ворота (G), коллектор (C) и эмиттер (E).

 

Основные преимущества:
Высокий входной импеданс (как у MOSFET, низкая мощность возбуждения)
Низкое падение напряжения проводимости (как у BJT, низкие потери проводимости)
Подходит для приложений с высоким напряжением, сильным током и средней-высокой частотой.